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SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

fabbricante:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Confezione del dispositivo del fornitore:

TO-268

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Rapido RFQ

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

SCT2750NYTB

Stoccaggio:

1548

Categoria di prodotto:

Transistor - FETs, MOSFETs - singoli

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

5.9A (Tc)

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

1700 V

Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):

18V

Tipo di FET:

Canale N

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

17 nC @ 18 V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

275 pF @ 800 V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Temperatura di funzionamento:

175°C (TJ)

Confezione / Cassa:

TO-268-3, D3Pak (2 Lead + Tab), TO-268AA

Dissipazione di potere (massima):

57W (Tc)

Status del prodotto:

Attivo

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

975 mOhm @ 1,7A, 18V

Tecnologia:

SiCFET (carburo di silicio)

Vgs (Max):

+22V, -6V

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 630μA

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