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IMZC120R012M2HXKSA1
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IMZC120R012M2HXKSA1

fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
IMZC120R012M2HXKSA1
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO247-4-17
Rapido RFQ
In magazzino:
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Dettagli del prodotto
Serie:
CoolSiC™
Tipo di FET:
Canale N
Tecnologia:
SiC (transistor a giunzione a carburo di silicio)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
129A (TC)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 57A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.1V @ 17,8 mA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
124 nC @ 18 V
Vgs (Max):
+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4050 pF @ 800 V
Dissipazione di potere (massima):
480 W (Tc)
Descrizione del prodotto

IMZC120R012M2HXKSA1-Fogli dati

Applicazioni tipiche

- Perdite di commutazione basse.


- Operazione di sovraccarico fino avj= 200°C.


- Tempo di resistenza al cortocircuito di 2 μs.


- Diodo corporeo robusto per una commutazione dura.


- Tecnologia di interconnessione XT per una migliore prestazione termica.

 

L'IMZC120R012M2H è un MOSFET a carburo di silicio (SiC) a canale N da 12 mΩ, progettato per applicazioni ad alta efficienza e alta densità di potenza.

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