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IMZC120R012M2H

IMZC120R012M2H

fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
Ampia gamma massima di VGS da -10 V a +25 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO247-4
Rapido RFQ
In magazzino:
Vi preghiamo di inviare una richiesta, risponderemo immediatamente. (*è obbligatorio)
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Dettagli del prodotto
Benefici:
Maggiore densità di potenza
Ciss:
4050 pF
Coss:
176 pF
ID (@ T)C= 25°C) massimo:
129 A
Ptot (@ T)A= 25°C) massimo:
480 W
Pin Count:
4 perni
Polarità:
N
Qg:
124 d.C.
Qgd:
34 nC
Qualificazione:
Industria
RDS (acceso) (@ Tj = 25°C):
12 mΩ
RthJA max:
62 K/W
RthJC max:
0.31 K/W
Tecnologia:
CoolSiCTM G2
VDS max:
1200 V
Livello dell'umidità:
Nazionale
Descrizione del prodotto

IMZC120R012M2H-Fogli di dati

Applicazioni tipiche

- Azionamenti per uso generale (GPD).


- Ricarica dei veicoli elettrici.


- Fornitori di corrente in linea (UPS).


- Ottimizzatori di energia solare.


- Invertitori a stringa.


- Sistemi di accumulo di energia (ESS).


- Attrezzature di saldatura.

 

L'IMZC120R012M2H è un MOSFET a carburo di silicio (SiC) a canale N da 12 mΩ, progettato per applicazioni ad alta efficienza e alta densità di potenza.

 

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