prodotti

costruttori

Su di noi

notizie

RFQ

Collabora con noi

italian

Casa. > prodotti > Prodotti a semiconduttori discreti >

PDTC114YQBZ

PDTC114YQBZ

fabbricante:

Nexperia

Descrizione:

PDTC114YQB/SOT8015/DFN1110D-3

Confezione del dispositivo del fornitore:

DFN1110D-3

scaricare

Rapido RFQ

In magazzino:

Vi preghiamo di inviare una richiesta, risponderemo immediatamente. (*è obbligatorio)

Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

PDTC114YQBZ

Stoccaggio:

5000

Categoria di prodotto:

Transistori - Bipolari (BJT) - Single, Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max):

100 MA

Corrente - limite del collettore (massimo):

100nA

Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:

100 @ 5mA, 5V

Frequenza - Transizione:

180 megahertz

Tipo di montaggio:

Supporto di superficie, fianco bagnabile

Confezione / Cassa:

3-XDFN Pad esposto

Potenza - Max:

340 mW

Status del prodotto:

Non utilizzato

Resistenza - Base (R1):

10 kOhms

Resistenza - Base dell'emittente (R2):

47 kOhms

Tipo di transistor:

PNP - Pregiudicato

Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:

100mV @ 250μA, 5mA

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):

50 V

Descrizione del prodotto

PDTC114YQBZ PRODOTTI RELATIVI

PDTC124TT,215

Scopri di più

RN1303, LF

Scopri di più

RN1106MFV,L3F

Scopri di più

UNRF2A300A

Scopri di più

UNRF2AN00A

Scopri di più

UNRF1A300A

Scopri di più

DTC343TKT146

Scopri di più

MMUN2111LT3G

Scopri di più

UNR212200L

Scopri di più

UNR411400A

Scopri di più

UNR411E00A

Scopri di più

UNR222300L

Scopri di più

UNR221D00L

Scopri di più

UNR52A4G0L

Scopri di più

UNR511500L

Scopri di più

UNR9111G0L

Scopri di più

UNR32A1G0L

Scopri di più

UNR211300L

Scopri di più

UNR515400L

Scopri di più

UNR211000L

Scopri di più

UNR92ANG0L

Scopri di più