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RN1105MFV,L3XHF(CT

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RN1105MFV,L3XHF(CT

fabbricante:

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione:

Auto AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER

Confezione del dispositivo del fornitore:

VESM

Rapido RFQ

In magazzino:

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

RN1105MFV,L3XHF(CT

Stoccaggio:

8000

Categoria di prodotto:

Transistori - Bipolari (BJT) - Single, Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max):

100 MA

Corrente - limite del collettore (massimo):

500nA

Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:

80 @ 10mA, 5V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Confezione / Cassa:

SOT-723

Potenza - Max:

150 Mw

Status del prodotto:

Attivo

Resistenza - Base (R1):

2,2 kOhms

Resistenza - Base dell'emittente (R2):

47 kOhms

Tipo di transistor:

NPN - Pre-polarizzato

Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:

300mV @ 500μA, 5mA

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):

50 V

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