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PDTC114EQB-QZ

PDTC114EQB-QZ

fabbricante:

Nexperia

Descrizione:

PDTC114EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

Confezione del dispositivo del fornitore:

DFN1110D-3

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Rapido RFQ

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Dettagli del prodotto

Mfr. Parte #:

PDTC114EQB-QZ

Stoccaggio:

5000

Categoria di prodotto:

Transistori - Bipolari (BJT) - Single, Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max):

100 MA

Corrente - limite del collettore (massimo):

100nA

Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:

30 @ 5mA, 5V

Frequenza - Transizione:

230 megahertz

Tipo di montaggio:

Supporto di superficie, fianco bagnabile

Confezione / Cassa:

3-XDFN Pad esposto

Potenza - Max:

340 mW

Status del prodotto:

Attivo

Resistenza - Base (R1):

10 kOhms

Resistenza - Base dell'emittente (R2):

10 kOhms

Tipo di transistor:

NPN - Pre-polarizzato

Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:

100mV @ 500μA, 10mA

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):

50 V

Descrizione del prodotto

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